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KIA原厂家 KIA3423 P沟道 -20A /-20V PDF文件下载-KIA官网
KIA3423 P沟道 MOSFET -20A /-20V SOT-23封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心，...www.kiaic.com/article/detail/723.html 2018-03-13
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KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管
KIA6035A N沟道 MOSFET 11A /350V TO-252、TO-220封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研...www.kiaic.com/article/detail/722.html 2018-03-13
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cool mos是什么,它的作用以及采取散热措施的方法,详解
近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复二极管，低Qg 和Coss能够完全满意这些需求并大大提高...www.kiaic.com/article/detail/510.html 2018-03-12
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解析三端稳压器-详细介绍三端稳压管应用范围-KIA MOS管
L7805三端稳压器由恒流源、放大电路、调整管三部分组成。L7805三端稳压器当输入电压变动时，输出电压保持不变。L7805三端稳压器的1脚为输入端；2脚为公共端（接地负极端），3脚为输出端（输出VDD+5V直流电压）www.kiaic.com/article/detail/695.html 2018-03-01
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场效应管和IGBT有什么区别-场效应管型号大全-KIA 官网
KIA mos场效应管原厂家，场效应管和IGBT的区别，IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。www.kiaic.com/article/detail/685.html 2018-02-25
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步进马达驱动器-步进电机步进驱动器工作原理详解
步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。在非超载的状况下，电机的转速、中止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，即给电机加一个脉冲信号，电机则转过一个步f距角。这一线性关系的存在，加上步进电机只要周期性...www.kiaic.com/article/detail/584.html 2018-01-04
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KIA关于产品调价的通知
深圳市可易亚半导体发布调价通知，由于市场变化，硅化延材料价格上涨，导致我司产品成本上涨。从2018年元旦起我司销售的所有产品热行2018年价格，具体以调价幅度10%-30%不等。
www.kiaic.com/article/detail/546.html 2017-12-07
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2017年12月21-23日，深圳国际电子展，KIA半导体诚邀您的莅临！
KIA半导体展会主题： 与更多大展同期，更多来自电子、汽车、自动化领域资源共享！第六届深圳国际嵌入式系统展EMBEDDED EXPO 2017将与ELEXCON2017深圳国际电子展、深圳电动汽车技术暨汽车电子展、深圳机电展同期举行，更多来自汽车、工业机器人、智能工厂等领域...www.kiaic.com/article/detail/541.html 2017-12-01
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mos管器件与应用,mos管文章目录大全,与分析详解！
MOS工艺技术的飞速发展，存集成电路制造产业中占有越来越重要的地位，而其中的MOS模拟集成电路也因此得以快速发展。MOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统，迎合了当前模拟电路的发展趋势。www.kiaic.com/article/detail/501.html 2017-11-13
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场效应管型号选型参数、型号、电压、参数等
主要适用于：开关电源、报警器、控制器、安定器、电表、电动工具、逆变器、充电器、保护板、电动车等www.kiaic.com/article/detail/499.html 2017-11-13
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场效应管,耗尽型场mos效应管的工作原理-详解！！
耗尽型场效应管根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸收到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结www.kiaic.com/article/detail/505.html 2017-10-30
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mos击穿,mos管击穿的原因及解决方法-分析大全
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此刻源端的载流子注...www.kiaic.com/article/detail/509.html 2017-10-27
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MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么？详解
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发热严重，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，如果G信号驱动能力不够，将严重影响波形跳变的时间.www.kiaic.com/article/detail/147.html 2017-10-26
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如何从零开始在淘宝开好一家店，其实很简单
客户的目光通常和你的目光是完整不一样，没经历根底的话只能让客户帮我们选款，不能本人武断决议。一款好的产品或好的样式假如不能得到市场的认可
www.kiaic.com/article/detail/357.html 2017-10-25